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Micron and Intel collaboration

英特尔和美光的合作优先考虑并在关键客户端和数据中心平台上实现一流的用户体验. 我们共同验证了第四代英特尔®至强®可扩展处理器系列与美光DDR51, 2 存储技术使我们的客户-从客户端到云-能够快速有效地从数据中生成见解.

Intel logo

美光128GB高容量rdimm助力AI发展

Micron memory is fueling advances in AI data centers. Our 128GB RDIMMS are ready to be deployed on your 4th and 5th Gen Intel® Xeon® platforms. 采用美光业界领先的1β (1-beta)技术, 128GB DDR5 RDIMM内存的比特密度提高了45%以上,4 up to 22% improved energy efficiency5 and up to 16% lower latency4 over competitive 3DS through-silicon via (TSV) products. 

Micron DDR5 RDIMM 96GB and 128GB modules side by side

美光DDR5:下一代英特尔服务器平台的内存技术

英特尔宣布推出采用第四代英特尔®至强®可扩展处理器的最新一代服务器. 这些处理器将为任务关键型企业和云工作负载的新一代服务器提供动力,这些服务器将受益于显著提高的带宽水平, performance, 由美光DDR5内存实现的可扩展性和可靠性.

FPO ALT TEXT

美光DDR5和英特尔提高了AI推理的性能

Micron DDR5 in a dual socket server using Intel® Xeon® Platinum 8490H-60C processor with Intel® AMX achieves 7x3 计算机视觉中图像分类的增益与DDR4和第三代英特尔的比较® Xeon® Platinum 8380 processor. 美光DDR5和第四代英特尔至强服务器能够标注和标记超过14,000 samples inferenced per second.

infographic with Micron DDR4 and DDR5 and Intel Xeon

使用Dell PowerEdge R760平台的Micron DDR5内存数据仓库的世界纪录性能

搭载第四代Intel®Xeon®白金8480H处理器的2插槽戴尔PowerEdge服务器中的美光DDR5性能优于搭载DDR4和第三代Intel®Xeon®白金8380处理器的4插槽甚至8插槽服务器. 在Dell PowerEdge R760服务器上使用美光DDR5测试SAP HANA®工作负载的数据集大小的标准化基准测试,实现了世界纪录的性能 2.63.9 and 6.5 billion records.

SAP HANA benchmarks table

借助美光DDR5和英特尔服务器平台,深度学习性能提升了5倍

与美光DDR4和第三代Intel®Xeon®8380可扩展处理器相比,美光DDR5与第四代Intel®Xeon®8490H可扩展处理器在启用Intel®AMX时可提供5倍的深度学习吞吐量.

Machine learning performance BERT benchmark chart

使用美光DDR5和下一代英特尔服务器平台重新定义关键任务工作负载的性能

美光DDR5采用第四代Intel®Xeon®8480H可扩展处理器 Lenovo 860 v3 Platform delivers 44% more performance for the OLAP benchmark 与美光DDR4和第三代Intel®Xeon®8380可扩展处理器相比.

SAP HANA 2.0 chart

1. 美光DDR5 RDIMM 16/32/64 GB密度于2022年11月验证.

2. 美光DDR5 RDIMM 24/48/96 GB密度于2023年4月验证.

3. 基准测试由美光的数据中心工作负载工程(DCWE)团队与英特尔合作执行. DDR4和DDR5系统在每通道一个DIMM (1DPC)配置中填充了64GB rdimm,总共1TB. 两个系统都使用相同的软件堆栈Alma Linux 9 (Kernel 5)进行配置.14).

4. 基于竞争数据表和JEDEC规范.

5. Micron 5,600 MT/s 128GB DDR5 RDIMM内存与SK海力士5相比,600 MT/s 3DS TSV product yields 22.2% better power efficiency. 

 

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